射頻磁控濺射鍍膜裝置    型號：MHY-13452

射頻磁控濺射鍍膜裝置主要用途：本設備主要用于大院校研究和開發納米單層膜；如各種硬質膜、金屬膜；也可以是非金屬、化合物等薄膜材料?？梢孕兄苯訛R射，亦可以實現反應濺射。

主要點：結構簡捷、操作簡便，真空度維護，安可靠。
鍍膜機應安裝在干凈無塵埃、無腐蝕性氣體的室內，并具備清潔水源、及220V的穩定電壓等條件的地方。

1、地面的基本水平度要經過調整，不得低不平；

2、環境溫度：10℃～30℃；

3、相對濕度：不大于75%；

4、耗水量（水溫度≤25℃，2.5Kg≥水壓≥1.5Kg）：約0.2T/h；

5、水質要求：

矽酸硬度<6度，PH值：7－8，電導率：200us/cm,沉積率：<200mg/L。

6、電壓： 220V，50HZ，

電壓波動范圍： 198～231V；

頻率波動范圍：49～51Hz;

7、水壓：0.3～1Kg/cm2或0.03～0.1MPa/cm2;

8、充入氣體純度99.9%或以上;

9、鍍膜用耗材純度99.9%或以上。

設備規格參數
1.1、濺射處理室：
      1、鐘罩：內徑225mm×度260mm；
      2、試樣臺：直徑80mm（zui大）；
      3、試樣旋轉：靜止；
      4、擋板：手動；
      5、襯底加熱器：不銹鋼加熱器（DC24V）；
      6、襯底溫度范圍：室溫～200℃；
      7、襯底可調距離：20mm～60mm；
      8、濺射室限真空：0.5Pa
1.2、真空系統：
      1、抽氣系統：由機械泵組成的真空系統；抽氣速率：4升/S
      2、真空檢測：電阻真空計、電阻規；
      3、常用真空度：1～20Pa
      4、操作：手動
1.3、濺射電源：
1、射頻電源：頻率13.560MHZ,率：500W，用表示；
2、阻抗匹配器范圍：（2.7～45）Ω-j（0～70）Ω；
3、供電：AC 220V；
4、冷卻方式：風冷；
 1.4、 磁控靶：
1、靶材直徑：Ф50mm、 個磁靶；
2、靶材厚度：3～6mm；
1.5、氣系統：2路轉子量計氣，
1.6、電源要求：AC 220V  50Hz  10A
1.7、氣體要求：氬氣--純度99.9%(樣品有殊要求時使用純)
1.8、冷卻要求：靶體水冷，濺射電源風冷
1.9、體積重量：體積：L550mm×W680mm×H1480mm；約120kg